| 专利名称 | 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201210335321.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800808A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吴良才;彭程;饶峰;朱敏 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用 至一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：Ax(Sb2Te)1-x，x为原子百分比，其中A选自W、Ti、Ta或Mn，0＜x＜0.5。本发明所提供的相变材料与通常的GeSbTe材料类似，有利于实现高密度存储。其在外部电驱动纳秒级脉冲作用下具有可逆相变的材料。所述的W-Sb-Te相变材料的相变速度是GeSbTe材料的3倍，有利于实现高速相变存储器。 |
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