| 专利名称 | 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 | 申请号 | CN201110138464.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800632A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青 | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 至一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过浅槽隔离形成器件的有源区和沟道区；采用低温化学气相沉积与原子层沉积技术相结合的方法，在衬底上形成包括隧穿层、电荷存储层及阻挡层的多叠层栅介质层，通过光刻形成图形；通过低温化学气相沉积和光刻方法形成栅介质层的侧墙和掩膜层；通过离子注入形成源漏区及其扩展区，并通过激光激活；在栅介质层上形成栅电极，栅电极上层沉积多晶硅介质，形成多层栅电极层；采用低温化学气相沉积方法，执行栅结构的隔离、封装操作，并通过金属互联引出栅和源、漏电极。通过本发明，可以减小存储器制造流程中的热预算，抑制了高介电常数材料薄膜介质层的结晶化问题。 |
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