| 专利名称 | 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺 | 申请号 | CN200910200964.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101771051A | 公开（授权）日 | 2010.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 肖德元;王曦;陈静 | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 专利有效期 | 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺 至一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的N型半导体区、位于N型半导体区上的P型半导体区以及位于P型半导体区上的栅极区，P型半导体区、N型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储节点，通过带与带间的隧道穿透，空穴在浮体积聚定义为第一种存储状态；通过PN结正向偏置，空穴从浮体发射出去或者电子注入到浮体，定义为第二种存储状态；这两种状态造成浮体栅二极管(P+/N+)正向开启电压的差异，通过电流的大小可以感知。本发明是一种高效低功耗高密度栅二极管(P+/N+)浮体存储器单元，具备制作工艺简单、集成密度高、成本低廉及可靠性高等优点。 |
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