| 专利名称 | 相变存储器的写优化电路及其写优化方法 | 申请号 | CN200910247484.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101770807A | 公开（授权）日 | 2010.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈后鹏;蔡道林;陈小刚;宋志棠 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器的写优化电路及其写优化方法 至相变存储器的写优化电路及其写优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。 |
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