| 专利名称 | 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器 | 申请号 | CN200910076048.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101770804A | 公开（授权）日 | 2010.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈军养;刘东屏;温振超;韩秀峰;张曙丰 | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01P7/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器 至一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层；所述写位线与所述非磁性层相连，以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩，实现数据的写入。本发明还提供具有类似结构的基于Rashba效应的可编程磁逻辑器件和自旋微波振荡器。本发明实现了读写分离，可以有效保护器件在反复高电流密度读写时不易被损坏，可以有效降低写电流密度，增加器件的可操作性；本发明还采用了闭合状几何结构的设计方案，可进一步减小磁场对器件的干扰。 |
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