| 专利名称 | 磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法 | 申请号 | CN201010118300.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101768729A | 公开（授权）日 | 2010.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王耀明;朱小龙;李爱民;张雷 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法 至磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜，然后将CIGS前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜。本发明所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。 |
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