| 专利名称 | 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法 | 申请号 | CN200810203942.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752312A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法 至具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。 |
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