| 专利名称 | 一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 | 申请号 | CN200610165116.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101202532 | 公开（授权）日 | 2008.06.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周盛华;吴南健 | 主分类号 | H03B29/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H03B29/00(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I;H03K3/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 至一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导 体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体 晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半 导体晶体管电流镜，用于将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电 压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层 半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信 号放大输出。利用本发明，采用广泛使用的CMOS工艺制作，大大降低了 噪声发生器的功耗，很好地解决了即使是几μW的功耗都会缩短无源标签 工作距离的问题。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障