| 专利名称 | 外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜 | 申请号 | CN200910082471.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101867012A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹立新;李位勇;韩烨;张帅;许波;赵柏儒 | 主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/24(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L39/02(2006.01)I | 专利有效期 | 外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜 至外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在基片台上，将所述基片台放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光沉积方法生长薄膜。本发明还提供根据上述方法制备的单α-相、c-取向外延铁基超导薄膜。 |
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