| 专利名称 | 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法 | 申请号 | CN201010166065.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101866882A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李宜瑾;宋志棠;凌云;张超 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法 至可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位线方向隔离沟槽，将本征半导体分割形成多个选通二极管，并且刻蚀的位线方向隔离沟槽深入到重掺杂的N型半导体字线以内，在所述的沟槽内形成绝缘介质层；设置多个相变存储单元分别位于P型半导体的上方，并且分别与多个位线相连。本发明还揭露了一种可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器，完全与CMOS工艺兼容，具有简单易操作，易实现的特点，用于高密度相变存储器，可降低成本，提高存储单元的可靠性。 |
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