| 专利名称 | 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 | 申请号 | CN201010189313.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101866875A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;薛忠营;张波;魏星 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 至一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey结构的多层材料，其中0＜x＜1，0＜y＜1，Si1-xGex为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex和Si1-yGey薄膜的厚度，使其都小于临界厚度，以保证这两层薄膜都是完全应变的。然后使用层转移的方法将Si1-xGex/Si/Si1-yGey转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。使用选择性腐蚀的方法去掉顶层的Si1-yGey，最后通过离子注入及退火，使得材料中的Si1-xGex发生弛豫，相应的顶层Si发生应变，得到Si/Si1-xGex/SiO2/Si的SGOI材料。 |
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