| 专利名称 | 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 | 申请号 | CN201010189312.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101866874A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;薛忠营;张波;魏星 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 至一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Siepi/Si1-xGex结构的多层材料，其中0＜x＜1，Siepi为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex薄膜的厚度，使其小于临界厚度，以保证这层薄膜是完全应变的。然后使用层转移的方法将Siepi/Si1-xGex转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的多层材料。通过退火，使得材料中的Si1-xGex发生弛豫，弛豫过程中产生的位错主要分布在Siepi中，使得Si1-xGex保持了较高的晶格质量，然后通过外延的方法在Si1-xGex上继续外延一层Si薄膜，该薄膜将保持应变，最终得到Si/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si的SGOI材料。 |
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