| 专利名称 | 一种垂直磁各向异性的多层膜 | 申请号 | CN200910082039.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101866738A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 马勤礼;魏红祥;王守国;韩秀峰 | 主分类号 | H01F10/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/08(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直磁各向异性的多层膜 至一种垂直磁各向异性的多层膜 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层采用自旋极化率高于所述垂直磁各向异性材料的磁性金属材料制作，过渡层位于主体层和中间层之间。当所述中间层为势垒层时，所述复合磁性层还可以采用自旋扩散长度大于3nm的金属材料制作。本发明在保证优良的垂直磁各向异性性能的前提下，能够提高磁电阻性能、减小彼此之间的静磁相互作用以及减小相应器件的反转场或反转电流。本发明可用于巨磁电阻器件或隧穿磁电阻器件，比如磁性传感器、磁随机存储器和磁性逻辑器件等。 |
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