织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法

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专利名称 织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法 申请号 CN201010192665.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101863661A 公开(授权)日 2010.10.20 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 李永祥;伍萌佳;王东;李亚利;惠春 主分类号 C04B35/495(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 专利有效期 织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法 至织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及织构化铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法,属于无铅压电陶瓷制备领域。本发明采用片状NaNbO3或片状KNbO3为模板或无模板,选用Na2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5、Ta2O5、Sb2O3粉料,按化学式[(KmNa1-m)1-xLix](Nb1-y-zTaySbz)O33制备粉料并获得浆料,经丝网印刷所得到的陶瓷厚膜经过多层层叠压制获得素坯,对素坯排塑后,再进行烧结。本发明印刷过程简单,可得到很高取向度的织构化的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷有,最高取向度因子高达90%。

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