| 专利名称 | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 | 申请号 | CN201010196480.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101863452A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 郑新和;唐龙娟;杨辉 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 至一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。 |
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