| 专利名称 | 可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法 | 申请号 | CN201210374777.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102891433A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁松;赵玲娟;朱洪亮;王圩 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01)I | 专利有效期 | 可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法 至可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：选择一衬底；在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位区以及放大区位置的增益区量子阱材料层，保留增益区部分的增益区量子阱材料层；在第一和第二光栅区，相位区及放大器区上依次生长相位区材料层及量子阱材料层；选择性腐蚀掉除放大器区以外的放大器量子阱材料层；在第一和第二光栅区上的相位区体材料层表面制作光栅；在制作完光栅的结构上生长接触层。本发明利用接生长在得到可独立优化的光栅区及相位区所需的体材料的同时获得用于制作高饱和输出功率放大器的量子阱材料。 |
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