| 专利名称 | 一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料 | 申请号 | CN201210414938.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102923676A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 任堃;饶峰;宋志棠;陈小刚;王玉婵 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C01G30/00(2006.01)I;H01C7/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料 至一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上的元素按任意比例所组成的化合物。本发明针对硫系化合物所独有的阈值导通特性来实现对电路的过压保护，其工作原理与半导体浪涌保护器件完全不同，是一种新型的浪涌保护器件。 |
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