| 专利名称 | 基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201210458192.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102916041A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 专利有效期 | 基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法 至基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述隔离区上形成有基区，所述基区上形成有发射极和基极，所述发射极和基极分别被侧墙氧化层包围；所述集电区包括掺杂硅膜以及位于所述掺杂硅膜下部的重掺杂第一多晶硅层。本发明的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法利用高剂量的Si离子注入，在SOI的顶层硅膜与埋氧层交界的地方形成多晶硅，多晶硅层降低了集电极电阻，从而有效提高了基于SOI的SiGeHBT器件的截止频率。 |
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