| 专利名称 | 一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法 | 申请号 | CN201210442236.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102910578A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;高安然;戴鹏飞;鲁娜;萨姆·海米拉;帕西·盖里奥;王跃林 | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C3/00(2006.01)I;B01L3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法 至一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。 |
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