| 专利名称 | 多量子阱半导体激光器 | 申请号 | CN201220411336.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202712685U | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 多量子阱半导体激光器 至多量子阱半导体激光器 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种多量子阱半导体激光器，具有较高的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本实用新型采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。 |
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