| 专利名称 | 二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201110212747.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903736A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕荫学;罗家俊 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 二极管及其制作方法 至二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区，栅介质层位于第二电极区和体引出区之间，以隔离第二电极区和体引出区。本发明采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区，同样起到了隔离多个器件的作用，由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度，使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。 |
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