专利名称 | 表面增强拉曼散射基底 | 申请号 | CN201220016722.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开(公告)号 | CN202710478U | 公开(授权)日 | 2013.01.30 | 申请(专利权)人 | 中国科学技术大学 | 发明(设计)人 | 温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | 专利有效期 | 表面增强拉曼散射基底 至表面增强拉曼散射基底 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公布了一种表面增强拉曼散射基底,涉及分子探测与识别技术和金属微纳结构制备方法。该类表面增强拉曼散射基底由具有纳米级间隙的金属微纳结构组成,在间隙内存在表面等离子体激元局域场耦合效应;具体形式包括:Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系、Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系、Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系。该制备方法包括湿化学法和真空热蒸镀法。本实用新型该类表面增强拉曼散射基底的制备方法安全简便,不需要复杂的设备,成本低,结构稳定可控,重复率高,同时能提供高增强因子。 |
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