| 专利名称 | 稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210312795.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102899043A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘茜;魏钦华;刘光辉;周真真 | 主分类号 | C09K11/74(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/74(2006.01)I | 专利有效期 | 稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法 至稀土离子Dy3+掺杂的Bi4Si3O12白光LED荧光粉材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种稀土离子镝（Dy3+）掺杂的硅酸铋（Bi4Si3O12）白光LED荧光粉材料及其制备方法，所述荧光粉材料的制备过程包括：首先将构成硅酸铋的前驱体原料和掺杂原料按配比溶于醇水混合溶剂中，搅拌、干燥后，先在空气气氛下400～800℃进行预烧，冷却后取出研磨，然后进行750-900℃煅烧；最后随炉冷却至室温。本发明的荧光粉在紫外光(波长270nm)激发下发射白光，系属硅酸铋的本征蓝光和Dy3+特征蓝光和黄光叠加而成，发射峰位分别位于460nm，485nm和575nm，色坐标位于白光区域。本发明的荧光粉材料可满足白光LED照明领域的应用要求。 |
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