| 专利名称 | 二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201110204625.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102888645A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 高旭东;费广涛;欧阳浩淼;郭霄 | 主分类号 | C25D11/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/26(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法 至二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法。它先将氟化铵、水和乙二醇混合得到电解液，再使用钛片为阳极、石墨为阴极的二电极体系对电解液进行氧化处理，得到电解液1和电解液2，接着，先将钛片依次置于电解液1、电解液2和电解液中氧化，得到氧化钛片，再将氧化钛片置于氢氟酸溶液中腐蚀，并于其旁通以空气吹动氢氟酸溶液，得到从氧化钛片上剥离的氧化钛薄膜，之后，先将氧化钛薄膜依次分别置于不同浓度的氢氟酸溶液中腐蚀，再逐渐将氢氟酸溶液的浓度稀释至0.004～0.006wt％，制得厚度为10～50nm的二氧化钛纳米孔阵列薄膜。制备方法制得的目标产物既可作为掩膜用来制备量子点，又可作为微栅应用于透射电镜的样品支撑，更是一种很好的滤菌膜材料。 |
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