| 专利名称 | 一种电容器超薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201210376839.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102930982A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘帅;王丽华;吴杰;刘必前 | 主分类号 | H01G4/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/14(2006.01)I;H01G9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电容器超薄膜的制备方法 至一种电容器超薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种电容器超薄膜的制备方法，其特征在于，使用甲苯等溶剂将含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物溶解；使用旋涂法在平滑的电极表面旋涂成膜。薄膜表面平整致密，膜内部结构规整，膜厚度均一无缺陷。厚度为10～500纳米。本制膜方法能够得到纳米级厚度的聚合物薄膜，克服现有薄膜电容器薄膜厚度较大的缺点，具有制备过程简单，薄膜厚度纳米级，易于工业放大，高精度高稳定等优点。 |
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