| 专利名称 | 渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 | 申请号 | CN201210467085.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931308A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 许兴胜;王华勇;高永浩 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 专利有效期 | 渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 至渐变半径光子晶体发光二极管制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括：取一氮化镓基发光二极管外延片；在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形；根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内；在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构；在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶格常数相同的第二层光子晶体结构；在GaN接触层一侧形成的台面上制作N电极；在ITO层上第一层光子晶体结构的一侧制作P电极，完成器件的制作。本发明增加了发光二极管的光提取效率。 |
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