专利名称 | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 | 申请号 | CN200710304230.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101197399 | 公开(授权)日 | 2008.06.11 | 申请(专利权)人 | 中国科学院电工研究所 | 发明(设计)人 | 赵雷;王文静;刁宏伟 | 主分类号 | H01L31/072(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/072(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I | 专利有效期 | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 至一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池,包括p型硅衬底(1),在p型硅衬底(1)背光面上的 n型掺杂薄膜硅层(2),在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3),以及在p型硅衬底(1)迎 光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一 种本征薄膜硅层(5);亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄 膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7);在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。 |
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障