| 专利名称 | 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用 | 申请号 | CN200710173709.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101197260 | 公开（授权）日 | 2008.06.11 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用 至半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体衬底，包含了位于顶层的覆盖层和位于覆盖层下方 的孔洞层，以及位于孔洞层下方的支撑层。采用离子注入和阳极氧化两种方法 来制备这种特殊结构的半导体衬底。同时还公开了采用这种半导体衬底来制作 广义键合减薄绝缘体上的硅材料的方法；以及将该半导体衬底用于材料外延作 为外延衬底的方法。与现有技术相比，本发明的优在于该半导体衬底中的孔洞 层能够帮助释放层间应力，获得完美的单晶材料。 |
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