| 专利名称 | 一种SiC单晶晶片的加工方法 | 申请号 | CN200910243519.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102107391A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张贺;胡伯清;黄青松;王锡明;陈小龙;彭同华 | 主分类号 | B24B37/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B24B37/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC单晶晶片的加工方法 至一种SiC单晶晶片的加工方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种通过机械研磨和化学抛光获得高质量单晶碳化硅表面的方法。该方法通过双面研磨、单面摆臂式粗磨、单面摆臂式精磨、单面摆臂式化学机械抛光，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷和损伤层，从而获得高质量的单晶碳化硅晶片表面。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障