| 专利名称 | 多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 | 申请号 | CN200910312391.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102109570A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 蒲颜;王亮;袁婷婷;欧阳思华;刘新宇 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 至多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。 |
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