| 专利名称 | 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 | 申请号 | CN200610144306.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101192739 | 公开（授权）日 | 2008.06.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 专利有效期 | 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 至含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器， 包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上； 一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间 处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形， 该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧 化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层 中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR 层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N 型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作 在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR 层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上， 该下N型电极的中间形成一出光窗口。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障