| 专利名称 | 一种确定非线性硒化镓晶体最佳掺杂比例的方法 | 申请号 | CN201210090883.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102636444A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 谢冀江;张来明;姜可;陈飞;高飞;郭劲 | 主分类号 | G01N21/31(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/31(2006.01)I | 专利有效期 | 一种确定非线性硒化镓晶体最佳掺杂比例的方法 至一种确定非线性硒化镓晶体最佳掺杂比例的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种确定非线性硒化镓晶体最佳掺杂比例的方法，属于技术物理领域。解决现有确定非线性硒化镓晶体最佳掺杂比例的方法准确性较低的问题。该方法是采用激子吸收光谱的光谱性质来确定GaSe晶体的等价元素最佳掺杂比例的，当激子吸收系数峰值与波谷值之间的比例最大、激子吸收谱线最窄或激子吸收谱线长波方向上的斜率最大时，确定为最佳掺杂比例。采用PFC装置来确定其准确性，结果表明采用最佳掺杂比例晶体时的转换效率最高。 |
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