| 专利名称 | 有序硅纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201210142182.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102642807A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 吴摞;叶长辉 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 有序硅纳米线阵列的制备方法 至有序硅纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有序硅纳米线阵列的制备方法，属于有序硅纳米线阵列制备领域。该方法包括：在硅片上通过旋涂制备双层聚苯乙烯微球密排阵列结构，之后用氩气等离子体蚀刻，得到初始模板；将所述初始模板放入硝酸铁溶液中浸润，浸润后再放入炉中高温退火，退火取出后得到三氧化二铁二次模板；在所述三氧化二铁二次模板表面溅射一层金膜，再放入氢氟酸、双氧水和去离子水的混合水溶液中蚀刻，蚀刻后在所述三氧化二铁二次模板所覆盖的硅片上即得到三倍密度的有序硅纳米线阵列。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。 |
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