| 专利名称 | 晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 | 申请号 | CN201210124738.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102642864A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 季书林;叶长辉;邱晓东;张煜欣 | 主分类号 | C01G19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G19/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 至晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法，属光电材料制备领域。该方法包括：前驱物络合：将金属氯化物盐类和单质硫加入容器中，加入醇类溶剂和油胺，通入氮气或氩气为保护气，进行磁力搅拌并加热至一定温度进行络合，得反应前驱液；溶剂热制备：搅拌并通入保护气氮气或氩气，使反应前驱液升温至一定温度反应一段时间，冷却并向得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离沉淀得到Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒；清洗：用清洗剂洗掉得到的Cu2ZnSnS4纳米晶晶粒表面的油胺，得到单分散CZTS纳米晶胶体；后处理：对得到的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶胶体真空干燥，即得到单分散Cu2ZnSnS4纳米晶粉末。该方法简单、成本低。 |
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