| 专利名称 | MOS器件的建模方法 | 申请号 | CN201210123082.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102646147A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;梅博;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | MOS器件的建模方法 至MOS器件的建模方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种MOS器件的建模方法，包括：建立定义与STI相关的尺寸的一组参数，其中至少一个参数定义了STI的宽度或者栅宽方向上到STI的距离；建立所述一组参数对阈值电压和迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；对使用特定工艺制作的不同尺寸的MOS器件进行特性测试，获得测试数据；根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。采用本发明提供的模拟器件的方法，所得到的模拟特性数值与器件的实测数值更加接近，准确性更高。 |
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