| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210117282.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102646601A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;曾传滨;杜寰 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成半导体器件；形成漏电流吸收区，所述漏电流吸收区位于所述半导体器件的漏区一侧，且不与所述漏区相接触。相应地，本发明还提供一种应用本方法制造的半导体结构。采用本发明的方法以及半导体结构可以有效减小厚外延器件中的漏电流，进而提高半导体器件的整体性能。 |
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