| 专利名称 | 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 | 申请号 | CN201210124792.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102637787A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李盼盼;李鸿渐;张逸韵;李志聪;梁萌;李璟;王国宏 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 至一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。 |
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