| 专利名称 | 多孔氧化铈纳米管阵列电极的制备方法及其对过氧化氢的检测 | 申请号 | CN201210096167.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102636534A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 王统;张立德;华国民 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 多孔氧化铈纳米管阵列电极的制备方法及其对过氧化氢的检测 至多孔氧化铈纳米管阵列电极的制备方法及其对过氧化氢的检测 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多孔氧化铈纳米管阵列电极的制备方法及其对过氧化氢的检测，本发明借助ZnO纳米线阵列作为模板，采用连续离子层吸附的技术，在ZnO纳米线阵列表面吸附了一定厚度的Ce3+离子，通过后续的热处理得到大面积的ZnO/CeO2芯壳结构纳米阵列样品；采用简便易行的腐蚀方法，用PH=2的硝酸完全腐蚀模板，得到多孔二氧化铈纳米管阵列；用循环伏安法测试该电极的活性，能够检测出多种低浓度的过氧化氢，这种电极及其制备方法，有望通过电化学测试检测多种体系中存在的痕量过氧化氢。 |
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