| 专利名称 | 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极 | 申请号 | CN201120443016.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202373595U | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 廖清君;胡晓宁;马伟平;邢雯;陈昱;林春;王建新 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极 至一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极。本实用新型中的电极为一种延展电极，该电极从芯片注入区延展至非注入区，电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离，钝化层为200～300nm厚的CdTe与ZnS复合钝化层。本实用新型的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。 |
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