| 专利名称 | 一种ESD防护电阻 | 申请号 | CN201120565124.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202373579U | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曾传滨;李多力;海潮和;李晶;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种ESD防护电阻 至一种ESD防护电阻 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种ESD防护电阻，属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离，使得当通过电阻的ESD电流越大时，电阻越大，电阻承载的电压降越大，限流能力也越好。 |
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