| 专利名称 | 一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金 | 申请号 | CN200710056176.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101177745 | 公开（授权）日 | 2008.05.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 吴耀明;王立民;董龙祥;谢军伟;王小林;王立东 | 主分类号 | C22C1/03(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C1/03(2006.01)I;C22C21/08(2006.01)I;B22D21/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金 至一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及镁-硅中间体的合成方法及其使用该中间体制备高镁铝合金的方法，特别是涉及一 种以天然珍珠岩矿石为硅源合成Mg-Si中间体的方法、并使用该中间体、采用原位合成的手段制 备高镁铝合金的方法。该镁-硅中间体为一种低硅含量的特殊镁-硅中间合金，用该特殊Mg-Si中间 合金和原位合成方法，解决需要同时加入镁和硅元素的铝合金制造过程中硅来源成本高、品种单一 和Mg2Si生成几率小等工业难题。 |
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