| 专利名称 | 一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像器件及成像方法 | 申请号 | CN201210107957.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102628985A | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;陶兴;王彦钦;冯沁;方亮;刘玲;刘凯鹏;杨磊磊 | 主分类号 | G02B21/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B21/06(2006.01)I;G02B21/36(2006.01)I;G01B11/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像器件及成像方法 至一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像器件及成像方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用超衍射离轴照明技术的纳米表层光学显微成像器件及成像方法，所述器件从下到上依次包括透明基底层、纳米结构层、PMMA填充层和金属/介质多层膜层。其中纳米结构层可对从透明基底背面入射的照明光进行空间频率和偏振方向的调制，金属/介质多层膜层可对调制后的照明光进行空间频率的高通滤波，最终在金属/介质多层膜层的上表面可以形成一个局域在5nm～200nm范围内的消逝光场。该消逝光场可用于普通光学显微镜对待测样品的照明，实现待测样品5nm～200nm深度范围内的表层成像。所述器件所提供的照明的方式能有效减小样品内部结构的散射光对表层成像的干扰，提高表层成像的分辨率，为物质表层结构观测、成分分析提供了一条有效的途径。 |
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