| 专利名称 | 用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程 | 申请号 | CN201110082811.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185025A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所;上海中科高等研究院;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 | 发明（设计）人 | 陆卫;王旺平;李宁;李志锋;陈效双;俞立明;张波;李天信;陈平平;甄红楼;王少伟 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程 至用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。 |
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