| 专利名称 | 具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用 | 申请号 | CN201110059937.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185102A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张培健;赵宏武;潘新宇;孟洋;刘紫玉;李栋;孟庆宇;杨丽丽;梁学锦;陈东敏 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用 至具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种电阻存储器件，包括：底电极；底电极上的介质层；介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方法，包括：在底电极和顶电极上施加电压，以将该器件的阻态设置为低阻态或高阻态；在不会使该器件的阻值翻转的电压范围内选择某一电压，且该电压能使该介质层发光；通过透明的底电极或顶电极引出介质层所发出的光；利用介质层发出的光的波长分布识别该器件的阻态。本发明还提供了一种显示器件及其操作方法。 |
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