| 专利名称 | 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201110106410.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102184849A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;张有为;徐大伟;王中建;夏超;何大伟;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 至石墨烯基场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所述成核层，利用水作为氧化剂与铪源反应，在所述石墨烯层上生成HfO2栅介质层。相较于现有技术，本发明技术方案主要是利用物理吸附在石墨烯表面上的水作为氧化剂与金属源反应生成作为成核层的金属氧化物层，从而在后续采用原子层沉积工艺在石墨烯表面制备出均匀性和覆盖率较高的高质量HfO2栅介质薄膜，而不会在石墨烯晶格中引入会降低石墨烯基场效应晶体管性能的缺陷。 |
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