| 专利名称 | 一种Ω形鳍片的制备方法 | 申请号 | CN201110046371.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102651305A | 公开（授权）日 | 2012.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞;宋毅 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Ω形鳍片的制备方法 至一种Ω形鳍片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种Ω形鳍片的制备方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层及半导体衬底以嵌入所述半导体衬底形成至少两个凹槽，所述凹槽之间形成鳍片；在所述鳍片的侧壁形成侧墙；进一步刻蚀所述凹槽及鳍片底部的半导体衬底形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的下方和凹槽的底部形成隔离介质层。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。本发明在体硅衬底上制备Ω形鳍片，采用传统的基于准平面的自顶向下工艺，实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成。 |
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