| 专利名称 | 一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法 | 申请号 | CN201110093312.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102181283A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘瑞刚;王文;刘伟丽;黄勇 | 主分类号 | C09K11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/56(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法 至一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法。本发明所提供的CdS/Cd(OH)2复合纳米线是按照下述方法制备得到的：将镉盐、单体、紫外光引发剂与(E-CE)C混合，将混合溶液制成溶液薄膜；在紫外光源下辐照，使溶液薄膜中的甲基丙烯酸聚合，得到(E-CE)C/PMA/CdMA2复合膜；再经H2S气氛处理后，使无机盐转化为CdS无机半导体纳米颗粒，经干燥烧结并部分氧化CdS纳米晶体后得到CdS/CdO纳米晶体；然后分散于去离子水中或去离子水/乙醇混合液中，并经超声波处理，使CdO与水发生反应转变为Cd(OH)2，同时形成CdS/Cd(OH)2复合纳米线。该方法得到的CdS/Cd(OH)2复合纳米线CdS纳米晶体含量可控；复合纳米线中的CdS纳米晶体中保持了良好的单分散性，从而赋予其显著的光致荧光量子效应；纳米线的长径比和尺寸可控。 |
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