| 专利名称 | 半导体激光器腔面温度的测量方法 | 申请号 | CN200910081995.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101865729A | 公开（授权）日 | 2010.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 饶岚;宋国峰;汪卫敏;陈良惠 | 主分类号 | G01K5/48(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K5/48(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体激光器腔面温度的测量方法 至半导体激光器腔面温度的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。 |
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