| 专利名称 | 基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201110082967.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102184980A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李奎龙;董建荣;陆书龙;赵勇明;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法 至基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池，该两个电池之间通过晶片键合的方式串联在一起。其制备方法为：采用MOCVD法等依次生长形成GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池，而后对GaInP/GaAs双结电池的键合面进行减薄、抛光和清洁处理后，与InGaAsP电池键合，其后分别制作上、下电极，形成目标产品。本发明可形成1.90eV、1.42eV、～1.00eV的带隙组合，降低材料的生长难度，实现对太阳光谱的充分利用，减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失，同时提高了1.00eV电池内量子效率，进而提高电池效率。 |
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