| 专利名称 | GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 | 申请号 | CN200610114193.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101174661 | 公开（授权）日 | 2008.05.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈宇;王良臣;伊晓燕;郭金霞 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 至GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制 备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉 积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N-GaN电极；去除光刻胶 清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐 蚀掉SiO2掩蔽层；电子束蒸发制备P-GaN半透明电极 金属化体系NiAu；电极剥离后，在N2∶O2＝2∶1min 氛围合金温度500℃进行合金化处理5min，减小P -GaN半透明电极的金属化体系NiAu与P-GaN层之间 的欧姆接触电阻，提高P-GaN半透明电极与P-GaN的 接触强度和热稳定性；最后光刻出P-GaN加厚电极， 完成P、N电极的制备。 |
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